Power Integrations高级产品营销经理Adnaan Lokhandwala表示:
“ZVS与GaN(氮化镓)相结合,能为电源注入神奇魔力。开关损耗几乎为零,并且我们可以利用GaN的低导通损耗来实现超紧密的适配器布局,其元件数量远少于非对称半桥(AHB)电路或有源钳位方案。例如,我们曾展示过一款设计出为140W/28V的USB PD适配器,它仅使用了106个元件,体积只有4.2立方英寸(约68.8立方厘米)。InnoSwitch5-Pro IC采用的反激式拓扑相对于AHB从电路上更加容易实现,并且在通用输入电压下无论是否使用PFC级均可正常工作。”
InnoSwitch5-Pro反激式开关IC的次级侧具有无损耗输入电压检测功能,可进行自适应的DCM/CCM和ZVS控制,从而在整个输入电压和负载范围内提高效率并简化设计。该IC还具有产品下线后输出公差的补偿功能,可实现优于2%的高精度输出恒流(CC)控制,以支持UFCS协议。整体系统效率极高,可超过95%,使设计人员能够省去热管理所需的散热片、导热片和灌封材料,从而进一步减小尺寸,降低元件成本和制造复杂性。
InnoSwitch5-Pro系列反激式开关IC的主要市场包括有高功率密度要求且需满足USB PD 3.1扩展功率范围(EPR)、UFCS和其它多种充电协议的适配器、笔记本电脑适配器以及非原装单口和多口输出的充电器和适配器。
相关阅读:
1、高效率数字反激式氮化镓快充原理与应用
2、InnoSwitch3-AQ设计指南 – 打造可靠的车用电源
3、媒体报导 | PI InnoSwitch3系列新款IC,为什么要做到兼具900V高耐压和100W输出功率?